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晶閘管生產廠家為你介紹晶閘管兩端為什么并聯電阻和電容及阻容元件的選擇

來源:www.thai-hebmed.com 發表時間:2017-11-09

      一、晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯RC串聯網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路。
  我們知道,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數-斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫順門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態轉進通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發生這種情況。由于晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。
  在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下,因各層相距很近,其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結,這個電流起了門極觸發電流作用。假如晶閘管(可控硅)在關斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下,晶閘管(可控硅)誤導通現象,即常說的硬開通,這是不答應的。因此,對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。
  為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管(可控硅)安全運行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡,利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。由于電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感),所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過度過程中,因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞晶閘管(可控硅)。同時,避免電容器通過晶閘管(可控硅)放電電流過大,造成過電流而損壞晶閘管(可控硅)。
  由于晶閘管(可控硅)過流過壓能力很差,假如不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。
  二、整流晶閘管(可控硅)阻容吸收元件的選擇
  電容的選擇:
  C=(2.5-5)×10的負8次方×If
  If=0.367Id
  Id-直流電流值
  假如整流側采用500A的晶閘管(可控硅)
  可以計算C=(2.5-5)×10的負8次方×500=1.25-2.5mF
  選用2.5mF,1kv 的電容器
  電阻的選擇:
  R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
  選擇10歐
  PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負12次方×R)/2
  Pfv=2u(1.5-2.0)
  u=三相電壓的有效值

  

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