聯系我們

丹陽市科宇整流器有限公司

聯系人: 湯經理

手機: 15105287056

電話:

傳真: 0511-86213186

郵箱: 164599031@qq.com

網址: www.thai-hebmed.com

地址: 丹陽市開發區后王村(101省道西側)

詳細信息

您的當前位置: 天马彩票|手机app下载 > 行業新聞 > 詳細內容

可控硅生產廠家為你介紹電力半導體晶閘管模塊的發展過程及新趨勢

來源:www.thai-hebmed.com 發表時間:2018-06-01

一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統面貌發生巨大改觀,促進電力電子技術向前發展。自1957年第一個晶閘管模塊問世以來,經過40多年的開發和研究,已推出可關斷晶閘管(GTO),絕緣柵雙極晶閘管(IGBT)等40多種電力半導體器件,目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的方向發展,本文將簡要介紹模塊化發展趨勢。
 所謂模塊,最初定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定電路聯成,用RTV、彈性硅凝膠、環氧樹脂等保護材料,密封在一個絕緣的外殼內,并與導熱底板絕緣而成。自上世紀70年代SemikronNurmbeg把模塊原理(當時僅限于晶閘管和整流二極管)引入電力電子技術領域以來,因此模塊化就受到世界各國電力半導體公司的重視,開發和生產出各種內部電聯接形式的電力半導體模塊,如晶閘管、整流二極管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、光控晶閘管、可關斷晶閘管、電力晶體管(GTR)、MOS可控晶閘管(MCT)、電力MOSFET以及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等模塊,使模塊技術得到蓬勃發展,在器件中所占比例越來越大。 

 據美國在上世紀90年代初統計,在過去十幾年內,300A以下的分立晶閘管、整流二極管以及20A以上達林頓晶體管市場占有量已由90%降到20%,而上述器件的模塊卻由10%上升到80%,可見模塊發展之快。
  隨著MOS結構為基礎的現代半導體器件研發的成功,亦即用電壓控制、驅動功率小、控制簡單的IGBT、電力MOSFET、MOS控制晶閘管(MCT)和MOC控制整流管(MCD)的出現,開發出把器件芯片與控制電路、驅動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路以及自診斷電路組合,并密封在同一絕緣外殼內的智能化電力半導體模塊,即IPM。


  

天马彩票|手机app下载 金誉彩票|官网登录 多盈彩票|手机app下载 桔子彩票|手机app下载 华夏彩票|官网登录 599彩票|手机app下载 千禧彩票|手机app下载 柒鑫彩票|官网登录 709彩票|手机app下载 万家彩票|手机app下载 8828彩票|官网登录 盛宏彩票|手机app下载 千城彩票|手机app下载